CY62146ELL-45ZSXIT
现货，推荐
符合RoHS标准

CY62146ELL-45ZSXIT

数据手册
封装

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CY62146ELL-45ZSXIT
CY62146ELL-45ZSXIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY62146ELL-45ZSXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62146ELL-45ZSXIT是一款4-Mbit（256K×16）CMOS静态RAM，面向5 V系统，45 ns访问时间。工作电压4.5 V至5.5 V，采用CE/OE/WE控制，并通过BHE/BLE支持按字节写入，未选通时输出为高阻态。超低功耗：自动CE掉电，待机电流典型2.5 µA（最大7 µA），1 MHz下典型有源电流3.5 mA，封装为无铅44引脚TSOP II。

特性

  • 256K×16 CMOS静态RAM
  • 45 ns读写周期
  • VCC工作4.5 V至5.5 V
  • 1 MHz典型ICC 3.5 mA
  • 待机电流典型2.5 µA
  • 待机电流最大7 µA
  • CE自动掉电(ISB2)
  • VCC=2 V数据保持
  • 2 V时ICCDR最大8.8 µA
  • BHE/BLE字节写
  • TTL兼容输入电平
  • OE/CE三态输出

产品优势

  • 45 ns加速CPU访问
  • 适配5 V电源老系统
  • 3.5 mA降低工作功耗
  • 2.5 µA延长电池续航
  • 自动掉电节省能耗
  • 2 V保持避免数据丢失
  • 8.8 µA降低备份耗电
  • 字节使能降低写入功耗
  • OE/CE三态便于总线共享
  • TTL输入简化接口设计
  • 高阻态避免总线争用
  • SRAM无需刷新更简单

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区