CY62146ELL-45ZSXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62146ELL-45ZSXIT

数据手册
封装

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CY62146ELL-45ZSXIT
CY62146ELL-45ZSXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62146ELL-45ZSXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW,US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW,US
CY62146ELL-45ZSXIT is a 4-Mbit (256K × 16) CMOS static RAM for 5 V systems, specified for 45 ns access. It operates from 4.5 V to 5.5 V and supports byte writes via BHE/BLE with CE/OE/WE control and high-Z outputs when deselected. Ultra-low power includes 2.5 µA typ (7 µA max) standby with automatic CE power-down and 3.5 mA typ active current at 1 MHz, in a Pb-free 44-pin TSOP II.

特性

  • 256K × 16 CMOS static RAM
  • 45 ns read/write cycle time
  • 4.5 V to 5.5 V VCC operation
  • 3.5 mA typ ICC at 1 MHz
  • 2.5 µA typ standby (CE HIGH)
  • 7 µA max standby current
  • Automatic CE power-down (ISB2)
  • Data retention at VCC = 2 V
  • ICCDR max 8.8 µA at 2 V
  • Byte write via BHE/BLE
  • TTL-compatible input levels
  • Tri-state outputs via OE/CE

产品优势

  • Fast 45 ns boosts CPU access
  • 5 V rail fits legacy designs
  • Low 3.5 mA cuts active power
  • 2.5 µA standby extends battery
  • Auto power-down saves energy
  • 2 V retention preserves data
  • 8.8 µA max lowers backup drain
  • Byte enables reduce write power
  • OE/CE tri-state eases bus sharing
  • TTL inputs simplify interfacing
  • High-Z prevents bus contention
  • SRAM avoids refresh complexity

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区