CY62146EV30LL-45ZSXIT
现货，推荐
符合RoHS标准

CY62146EV30LL-45ZSXIT

数据手册
封装

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CY62146EV30LL-45ZSXIT
CY62146EV30LL-45ZSXIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY62146EV30LL-45ZSXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62146EV30LL-45ZSXIT是一款面向3 V系统的4 Mbit（256K×16）CMOS静态RAM，访问时间45 ns。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围–40°C至+85°C。低功耗模式包括CE自动掉电（2.5 µA典型、7 µA最大）以及1 MHz下3.5 mA典型工作电流（fmax时20 mA最大）。BLE/BHE支持字节写入，未选通时I/O为高阻态，采用44引脚无铅TSOP II封装。

特性

  • 256K×16 CMOS SRAM结构
  • 45 ns读/写周期时间
  • OE到数据有效22 ns
  • VCC工作2.2 V到3.6 V
  • 1 MHz典型电流3.5 mA
  • 典型待机电流2.5 µA
  • 最大待机电流7 µA
  • CE为高自动掉电
  • 数据保持电压VDR=1.5 V
  • 保持电流最大8.8 µA
  • BHE/BLE支持字节写
  • 取消选通/OE三态输出

产品优势

  • 16位SRAM匹配MCU数据总线
  • 45 ns访问支持高速代码/数据
  • OE快至22 ns加速读切换
  • 2.2–3.6 V兼容3 V电源轨
  • 3.5 mA工作电流延长续航
  • 2.5 µA待机降低休眠耗电
  • 7 µA待机上限便于功耗预算
  • CE掉电机制节省能耗
  • 1.5 V保持支持备份供电保数据
  • 8.8 µA保持电流支持小电池
  • 字节使能减少写入功耗
  • 三态输出便于多器件共享总线
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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