CY62146EV30LL-45ZSXIT
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62146EV30LL-45ZSXIT

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CY62146EV30LL-45ZSXIT
CY62146EV30LL-45ZSXIT


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

OPN
CY62146EV30LL-45ZSXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW,US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW,US
CY62146EV30LL-45ZSXIT is a 4-Mbit (256K × 16) CMOS static RAM for 3 V systems, specified for 45 ns access. It operates from 2.2 V to 3.6 V over –40°C to +85°C. Low-power modes include automatic CE power-down (2.5 µA typ, 7 µA max) and 3.5 mA typ active current at 1 MHz (20 mA max at fmax). Byte writes use BLE/BHE, with tri-stated I/Os when deselected, in a 44-pin Pb-free TSOP II.

特性

  • 256K × 16 CMOS SRAM organization
  • 45 ns read/write cycle time
  • 22 ns OE to data valid (tDOE)
  • 2.2 V to 3.6 V VCC operation
  • 3.5 mA typ ICC at 1 MHz
  • 2.5 µA typ standby (ISB)
  • 7 µA max standby (ISB)
  • Auto power-down when CE HIGH
  • 1.5 V data retention supply (VDR)
  • 8.8 µA max retention current
  • Byte write via BHE/BLE enables
  • Outputs tri-state on deselect/OE

产品优势

  • 16-bit SRAM fits MCU data buses
  • 45 ns access supports fast code/data
  • 22 ns OE speeds read turnaround
  • 2.2–3.6 V works with 3 V rails
  • 3.5 mA active extends battery life
  • 2.5 µA standby cuts sleep drain
  • 7 µA max standby eases power budget
  • CE-based power-down saves energy
  • 1.5 V retention keeps data in backup
  • 8.8 µA retention enables small cell
  • Byte enables reduce write power
  • Tri-state outputs simplify bus sharing
文档

设计资源

开发者社区