CY62146G30-45ZSXAT
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62146G30-45ZSXAT

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CY62146G30-45ZSXAT
CY62146G30-45ZSXAT


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 16
  • 质量等级
    Automotive(A)
  • 速度
    45 ns

OPN
CY62146G30-45ZSXAT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW
CY62146G30-45ZSXAT is a 4-Mbit (256K × 16) asynchronous SRAM with embedded ECC for single-bit error correction in automotive systems. It operates from 2.2 V to 3.6 V and is rated 45 ns access, with AEC-Q100 Automotive-A temperature range (-40°C to +85°C). It uses a single chip enable with byte write enables (BHE/BLE) and is offered in a 44-pin Pb-free TSOP II tape-and-reel package.

特性

  • 4-Mbit SRAM, 256K x 16
  • Embedded ECC 1-bit correction
  • 45 ns read cycle time (tRC)
  • 45 ns addr-to-data valid (tAA)
  • 22 ns OE low to data valid
  • 45 ns write cycle time (tWC)
  • 35 ns WE pulse width (tPWE)
  • Typical standby current 3.5 µA
  • Typ ICC 15 mA at fMAX
  • Data retention at 1.0 V (VDR)
  • Data retention current 13 µA max
  • Input/output leakage ±1 µA max

产品优势

  • Improves data integrity with ECC
  • Higher throughput with 16-bit bus
  • Fast reads with 45 ns cycle time
  • Lower read latency with 22 ns OE
  • Fast writes with 45 ns write cycle
  • Cuts idle power with 3.5 µA standby
  • Keeps data at 1.0 V during backup
  • Low retention current saves energy
  • Low leakage reduces power loss
  • Easier troubleshooting of bit errors
  • Simple async SRAM interface timing
  • Supports shared buses via Hi-Z

应用

文档

设计资源

开发者社区