CY621472G30-45ZSXAT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY621472G30-45ZSXAT

数据手册
封装

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CY621472G30-45ZSXAT
CY621472G30-45ZSXAT
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 16
  • 质量等级
    Automotive(A)
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY621472G30-45ZSXAT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
PH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
PH
晶圆产地
TW
CY621472G30-45ZSXAT是一款4 Mbit（256K×16）CMOS SRAM，内置ECC实现单比特纠错。工作电压2.2 V至3.6 V，45 ns访问时间，适用于Automotive-A（-40°C至+85°C）。典型待机电流3.5 µA。TTL兼容I/O与BHE/BLE字节控制支持8位访问；两字节禁用时字节掉电强制进入待机。44引脚TSOP II，双片选，编带出货。

特性

  • 4 Mbit SRAM（256K×16）
  • 内置ECC单比特纠错
  • 读周期时间45 ns
  • 16位I/O，支持字节使能
  • BHE/BLE字节掉电模式
  • VCC范围2.2 V至3.6 V
  • 典型待机电流3.5 µA
  • 1.0 V下数据保持
  • ICCDR最大13 µA@1.2 V
  • OE到数据有效22 ns
  • 低电平输出驱动20 mA
  • ESD>2001 V（883-3015）

产品优势

  • 16位总线提升吞吐
  • ECC纠正RAM软错误
  • 45 ns访问减少等待
  • 字节使能便于8位系统
  • 字节掉电降低待机功耗
  • 2.2–3.6 V适配3.3 V
  • 3.5 µA待机延长电池寿命
  • 1.0 V保持防数据丢失
  • 低ICCDR降低备份电源
  • 22 ns OE加速读出
  • 20 mA驱动更易接总线
  • 高ESD提升系统可靠性
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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