CY621472GN30-45ZSXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY621472GN30-45ZSXIT

数据手册
封装

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CY621472GN30-45ZSXIT
CY621472GN30-45ZSXIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY621472GN30-45ZSXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY621472GN30-45ZSXIT是一款4 Mbit（256K×16）CMOS低功耗SRAM（MoBL），支持双片选使能。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，访问时间45 ns。自动掉电待机电流典型3.5 µA、最大8.7 µA；在fmax（22.22 MHz）下工作电流典型15 mA、最大20 mA。当BLE与BHE同时失效时进入字节掉电。44引脚TSOP II卷带。

特性

  • 4 Mbit SRAM，256K×16
  • 45 ns/55 ns访问时间可选
  • 16位I/O，带字节使能
  • BHE/BLE控制字节读写
  • 单或双片选使能输入
  • OE控制数据输出
  • 未选中时I/O为三态
  • BHE/BLE字节掉电功能
  • 待机电流典型3.5 µA
  • 待机电流最大8.7 µA
  • 读周期时间最小45 ns
  • I/O漏电流±1 µA

产品优势

  • 快速读取实现低延迟缓冲
  • 待机模式节能降功耗
  • 字节写入减少总线负载
  • 按字节掉电降低功耗
  • 灵活片选适配多总线
  • OE时序便于系统接口
  • 三态输出便于总线共享
  • 低漏电延长电池寿命
  • 45 ns读时序易做时序
  • 字节使能简化8位访问
  • CE使能后可快速上电
  • OE到数据短减少延迟

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区