CY62147EV30LL-45B2XIT
现货，推荐
符合RoHS标准

CY62147EV30LL-45B2XIT

数据手册
封装

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CY62147EV30LL-45B2XIT
CY62147EV30LL-45B2XIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62147EV30LL-45B2XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62147EV30LL-45B2XIT是一款MoBL系列4-Mbit（256K × 16）高性能CMOS SRAM，面向电池供电的嵌入式设计。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，访问时间45 ns。自动CE省电使待机电流典型2.5 µA（最大7 µA），1 MHz下典型有源电流3.5 mA。支持字节使能（BHE/BLE），提供Pb-free 48球VFBGA封装，B2双片选。

特性

  • 256K×16 SRAM组织
  • 45 ns读/写周期
  • 2.2 V至3.6 V供电
  • 1 MHz时典型3.5 mA
  • 典型待机2.5 µA
  • 1.5 V数据保持电压
  • 数据保持最大8.8 µA
  • 未选通自动掉电
  • BHE/BLE字节写
  • OE控制三态输出
  • 输入/输出漏电±1 µA
  • >2001 V ESD(MIL-STD-883)

产品优势

  • 16位SRAM适合缓存
  • 45 ns支持高速CPU访问
  • 2.2–3.6 V适配3 V电源
  • 低工作电流降低功耗
  • µA待机延长电池寿命
  • 1.5 V备份保持数据
  • 低ICCDR简化保持电源
  • 空闲自动掉电更省电
  • 字节写减少总线流量
  • 三态输出便于共享总线
  • 低漏电利于低功耗设计
  • 高ESD提升系统可靠性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区