CY62147GN30-45ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62147GN30-45ZSXI

数据手册
封装

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CY62147GN30-45ZSXI
CY62147GN30-45ZSXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY62147GN30-45ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62147GN30-45ZSXI是一款4 Mbit（256K×16）异步CMOS SRAM，内置ECC用于单比特纠错。3.0 V（2.2 V–3.6 V）版本支持45 ns访问，f=22.22 MHz时工作电流ICC最大20 mA，并具自动掉电待机电流低至3.5 µA（最大8.7 µA）。TTL兼容I/O、BLE/BHE字节使能及1.0 V数据保持，适用于工业级−40°C至+85°C设计。

特性

  • 4 Mbit SRAM，256K×16
  • 内置ECC单比特纠错
  • tRC读周期45/55 ns
  • 16位I/O，BLE/BHE字节使能
  • 未选通时I/O为高阻
  • 待机电流最大8.7 µA
  • 数据保持VDR=1.0 V
  • VCC=1.2 V时ICCDR最大13 µA
  • 工作温度–40°C至+85°C
  • ESD >2001 V（883法）
  • 锁存电流>140 mA

产品优势

  • ECC纠正单比特故障
  • 45/55 ns实现快速访问
  • 字节使能减少写入活动
  • 高阻输出便于总线共享
  • 待机最大8.7 µA省电
  • 1.0 V保持模式保存数据
  • 保持电流13 µA减轻备份负载
  • –40°C至+85°C更可靠
  • ESD>2001 V提升抗静电能力
  • 锁存>140 mA更稳健
  • 异步SRAM无需DRAM刷新

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区