CY62148ELL-45ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62148ELL-45ZSXI

数据手册
封装

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CY62148ELL-45ZSXI
CY62148ELL-45ZSXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY62148ELL-45ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-32
封装名 TSOP-II-32 (51-85095)
封装尺寸 1170
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-32
封装名 TSOP-II-32 (51-85095)
封装尺寸 1170
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62148ELL-45ZSXI是一款4 Mbit（512K×8）CMOS静态RAM，采用32引脚TSOP II（无铅）封装，面向5 V系统。工作电压4.5 V至5.5 V，温度范围–40°C至+85°C，访问时间45 ns，适用于处理器存储扩展。CE控制的自动掉电将待机电流降至典型2.5 µA（最大7 µA）。1 MHz下工作电流典型3.5 mA，fmax时典型15 mA，并支持TTL输入电平。

特性

  • 4 Mbit(512K×8)CMOS SRAM
  • tRC读周期45 ns
  • VCC供电4.5 V至5.5 V
  • CE为高自动掉电
  • 待机电流典型2.5 µA
  • 待机电流最大7 µA
  • @1 MHz典型有源3.5 mA
  • VCC≥2.0 V可数据保持
  • 数据保持电流最大8.8 µA
  • OE/CE/WE控制读写
  • CIN/COUT最大10 pF

产品优势

  • 高速读出提升响应
  • 兼容5 V逻辑供电
  • 自动掉电降低空闲功耗
  • µA级待机延长电池寿命
  • 低有源电流减少发热
  • 2 V后备电源下保持数据
  • 低ICCDR适合常供电存储
  • CE/OE简化存储扩展
  • 高阻输出便于共享总线
  • 低管脚电容支持高速
文档

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