CY62157EV18LL-55BVXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62157EV18LL-55BVXI

数据手册
封装

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CY62157EV18LL-55BVXI
CY62157EV18LL-55BVXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.65 V 至 2.25 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 16
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62157EV18LL-55BVXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2400
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2400
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62157EV18LL-55BVXI是一款8 Mbit（512K×16）CMOS SRAM，适用于便携电子等电池供电设计。工作电压1.65 V至2.25 V，保证55 ns访问。典型有源电流6 mA@1 MHz（最大7 mA）；待机2 µA（最大8 µA），去选通时自动掉电。BHE/BLE字节使能支持8位访问。Pb-free 48-ball VFBGA封装，工业级-40°C至+85°C。

特性

  • 8 Mbit SRAM，512K×16组织
  • 55 ns读写周期(tRC/tWC)
  • 单电源VCC 1.65 V–2.25 V
  • 1 MHz时有源电流6 mA
  • 待机2 uA，最大8 uA
  • 数据保持电压VCC=1.0 V
  • 数据保持电流最大9 uA
  • OE控制三态输出
  • 双片选输入CE1/CE2
  • BHE/BLE支持字节写

产品优势

  • 适配16位系统，少外部逻辑
  • 55 ns周期支持快速访问
  • 适用于1.8 V电源轨
  • SRAM读写时降低有源功耗
  • 待机更省电，延长续航
  • 备份供电下仍可保数据
  • 保持电流低，省电
  • 输出易共享，总线更简单
  • CE1/CE2便于容量扩展
  • 按字节更新，减少写入

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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