CY62157EV30LL-45ZSXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62157EV30LL-45ZSXIT

数据手册
封装

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CY62157EV30LL-45ZSXIT
CY62157EV30LL-45ZSXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62157EV30LL-45ZSXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
PH
晶圆产地
TW,US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
PH
晶圆产地
TW,US
CY62157EV30LL-45ZSXIT是一款8-Mbit（512K × 16）的CMOS SRAM，面向电池供电系统的低功耗存储。供电电压2.20 V至3.60 V，支持45 ns访问时间。自动掉电使待机电流典型2 µA（工业级最大8 µA）。在1 MHz下典型工作电流6 mA。-45ZSXIT为无铅44引脚TSOP II封装、编带出货，温度范围-40°C至+85°C。

特性

  • 8 Mbit SRAM，512K×16
  • 可配512K×16或1M×8
  • 读周期tRC=45 ns
  • OE到数据有效tDOE=22 ns
  • VCC范围2.20 V到3.60 V
  • 待机电流典型2 µA
  • 1 MHz典型有源6 mA
  • 未选通自动掉电
  • BHE/BLE字节使能8位
  • 未选通输出高阻
  • 1.5 V下数据保持VDR
  • I/O电容最大10 pF

产品优势

  • 8 Mbit容量节省板上空间
  • 1M×8便于总线匹配
  • 45 ns访问支持高速CPU
  • 22 ns OE实现快速读出
  • 2.2–3.6 V适配常用电源
  • 2 µA待机延长电池续航
  • 6 mA有源降低运行功耗
  • 自动掉电降低空闲耗电
  • 字节写避免读改写
  • 高阻I/O便于总线共享
  • 1.5 V保持支持睡眠保数据
  • 10 pF I/O改善信号完整性
文档

设计资源

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