CY62157H30-45BVXAT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62157H30-45BVXAT

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62157H30-45BVXAT
CY62157H30-45BVXAT
数据手册


商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 16
  • 质量等级
    Automotive(A)
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62157H30-45BVXAT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
TW
CY62157H30-45BVXAT是一款8 Mbit（512K×16）CMOS MoBL SRAM，内置ECC用于单比特错误检测与纠正。支持45 ns访问，工作电压2.2 V至3.6 V，温度-40°C至85°C，并提供TTL兼容I/O。运行电流在fMAX时最大36 mA（1 MHz时最大9 mA）。待机最大16 µA（典型5.5 µA），支持双片选与BHE/BLE字节掉电。无铅48球VFBGA（BV）封装。

特性

  • 8-Mbit(512K×16)SRAM
  • 内置ECC单比特纠错
  • 16位I/O，支持字节使能
  • 45 ns读写周期时间
  • 2.2 V至3.6 V供电
  • 1.0 V数据保持(VDR)
  • 待机电流典型5.5 µA
  • fMAX时ICC最大36 mA
  • >2001 V ESD(MIL-STD-883)
  • OE/WE/CE三态输出控制

产品优势

  • ECC提升数据完整性
  • 字节写入减少总线翻转
  • 45 ns访问支持高速CPU
  • 2.2–3.6 V适配常见3 V电源
  • 1.0 V保持降低备份电源
  • 5.5 µA待机延长电池寿命
  • 三态输出便于总线共享
  • 双片选简化地址译码
  • 高ESD提升生产良率
  • CMOS SRAM实现即读即用

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区