CY62167ELL-45ZXIT
现货，推荐
符合RoHS标准

CY62167ELL-45ZXIT

数据手册
封装

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CY62167ELL-45ZXIT
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数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62167ELL-45ZXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62167ELL-45ZXI是一款16-Mbit CMOS SRAM，可配置为1 M × 16或2 M × 8，45 ns访问时间，适用于TTL输入电平的处理器接口。器件工作在4.5 V至5.5 V、–40°C至+85°C，并提供CE1/CE2、OE及BLE/BHE控制，支持存储扩展与按字节写入。自动掉电将待机降至典型1.5 µA（最大12 µA）；有源电流1 MHz典型2.2 mA，fMAX典型25 mA。

特性

  • 16 Mb SRAM，1 M×16或2 M×8
  • 45 ns读/写周期时间
  • VCC工作4.5 V至5.5 V
  • 1 MHz典型有源电流2.2 mA
  • 待机掉电典型1.5 µA
  • 最大待机电流12 µA
  • 支持TTL输入电平
  • CE1/CE2/OE片选控制
  • BLE/BHE字节写使能
  • 禁用时I/O为高阻态
  • >2001 V ESD（MIL-STD-883）
  • 锁存电流>200 mA

产品优势

  • 16位/8位总线设计更灵活
  • 45 ns访问提升处理器吞吐
  • 5 V供电适配传统系统
  • 低有源电流降低功耗
  • µA级待机延长电池续航
  • 低最大待机简化功耗预算
  • TTL直连减少外围逻辑
  • CE/OE简化存储扩展
  • 字节写入降低写入带宽
  • 高阻态避免总线争用
  • 高ESD降低搬运失效率
  • 抗锁存提升系统在线率

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区