CY62167EV30LL-45ZXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62167EV30LL-45ZXI

英飞凌工业级 16Mb MoBL ™ SRAM：高密度、并行接口和宽工作范围
封装

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CY62167EV30LL-45ZXI
CY62167EV30LL-45ZXI

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62167EV30LL-45ZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62167EV30LL-45ZXI是一款16-Mbit（1M×16/2M×8）CMOS异步SRAM，45 ns速度等级，Pb-free 48引脚TSOP I封装。工作电压2.2 V至3.6 V，温度–40°C至+85°C，提供BLE/BHE字节使能并支持未选通时自动掉电。工作电流1 MHz时典型7 mA、fmax时最大35 mA；待机电流低至典型1.5 µA（最大12 µA），适合电池供电设计。

特性

  • 16 Mbit：1M×16或2M×8
  • 读/写周期45 ns
  • OE访问时间最大22 ns
  • 单电源2.2 V至3.6 V
  • 取消选通自动掉电
  • 1 MHz典型工作电流7 mA
  • 典型待机电流1.5 µA
  • 最大待机电流12 µA
  • VCC低至1.5 V数据保持
  • 数据保持电流最大10 µA
  • I/O电容最大10 pF
  • OE/CE/BHE/BLE三态输出

产品优势

  • 适配x16或x8总线架构
  • 45 ns时序支持高速CPU
  • 22 ns OE缩短读访问延迟
  • 2.2-3.6 V兼容3 V电源
  • 自动掉电降低能耗
  • 典型7 mA降低工作功耗
  • 1.5 µA待机延长电池续航
  • 12 µA最大值便于功耗预算
  • 1.5 V保持支持休眠保数据
  • 10 µA最大值便于长时备份
  • 10 pF负载简化时序设计
  • 三态I/O便于多器件共享总线
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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