CY62167G30-45ZXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62167G30-45ZXI

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62167G30-45ZXI
CY62167G30-45ZXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62167G30-45ZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62167G30-45ZXI是一款16-Mbit（1M×16）MoBL®异步CMOS SRAM，内置ECC用于单比特纠错。工作电压4.5 V至5.5 V，温度范围-40°C至85°C，访问时间45 ns；支持BLE/BHE字节写入与字节掉电模式。器件为无铅48引脚TSOP I封装，双片选，并提供超低待机电流（ISB2）在25°C时低至5.5 µA。

特性

  • 16 Mbit SRAM；1M×16或2M×8
  • 内置ECC单比特纠错
  • ERR输出提示已纠正错误
  • 读周期时间45 ns或55 ns
  • OE到数据有效22 ns(45ns)
  • 电源1.65–2.2 V或4.5–5.5 V
  • 待机电流最大16 µA(5 V)
  • BHE/BLE字节写使能
  • BHE/BLE高时字节掉电
  • 未选中时I/O三态
  • TTL兼容输入/输出
  • 工作温度–40°C到+85°C

产品优势

  • ECC提升SRAM数据可靠性
  • ERR引脚便于故障监测
  • 45/55 ns访问支持高速CPU
  • 22 ns OE时序减少等待
  • 双VCC选项便于平台复用
  • 待机最大16 µA延长电池寿命
  • 字节写节省带宽与功耗
  • 字节掉电降低空闲电流
  • 三态输出便于总线共享
  • TTL I/O便于逻辑接口
  • –40°C到+85°C适用严苛环境
  • 16 Mbit容量减少外部存储
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区