CY62167GE30-45BV1XIT
现货，推荐
符合RoHS标准

CY62167GE30-45BV1XIT

数据手册
封装

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CY62167GE30-45BV1XIT
CY62167GE30-45BV1XIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62167GE30-45BV1XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62167GE30-45BV1XIT是一款16-Mbit（1M×16或2M×8）CMOS静态RAM，内置ECC用于单比特纠错，并通过ERR引脚在读周期发生纠错时指示。器件工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至85°C，速度等级45 ns。支持BHE/BLE字节写入，自动掉电与字节掉电可将待机电流降至1.5 µA典型值、8 µA最大值，适用于工业设计。

特性

  • 16 Mbit SRAM；1M×16/2M×8
  • 内置ECC，单比特纠错
  • ERR输出指示纠错事件
  • VCC工作2.2 V至3.6 V
  • 读周期tRC为45 ns
  • 写周期tWC为45 ns
  • 自动掉电待机1.5 µA典型
  • 待机电流最大8 µA(ISB1)
  • 1.0 V数据保持电压(VDR)
  • TTL兼容输入与输出
  • BHE/BLE支持字节写入
  • I/O电容最大10 pF

产品优势

  • 总线宽度可配，少改板
  • ECC纠正1位存储错误
  • ERR引脚便于故障记录
  • 2.2–3.6 V适配3.3 V系统
  • 45 ns访问支持高速CPU
  • 45 ns写入减少等待周期
  • 1.5 µA典型延长电池续航
  • 8 µA最大降低待机预算
  • 1.0 V保持避免数据丢失
  • TTL I/O便于兼容旧系统
  • 字节使能降低写入功耗
  • 低电容改善信号完整性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区