CY62168EV30LL-45BVXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62168EV30LL-45BVXIT

数据手册
封装

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CY62168EV30LL-45BVXIT
CY62168EV30LL-45BVXIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    2M x 8
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62168EV30LL-45BVXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62168EV30LL-45BVXIT是一款16 Mbit（2M × 8）CMOS静态RAM，适用于便携与电池供电系统。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至85°C，访问时间45 ns。低功耗包括1 MHz下典型有源电流7 mA，以及典型待机电流1.5 µA（最大12 µA），未选通时自动掉电并使I/O为高阻。器件提供Pb-free 48-ball VFBGA（BV）封装。

特性

  • 16 Mbit SRAM，2M×8
  • 45 ns读/写周期
  • 地址到数据有效45 ns
  • OE到数据有效22 ns
  • 单电源2.2 V至3.6 V
  • 有源电流7 mA@1 MHz典型
  • 待机1.5 µA典型/12 µA最大
  • VCC降至1.5 V可保持数据
  • 保持电流最大10 µA
  • CE1/CE2片选+OE/WE控制
  • 未选通或OE高时三态IO
  • 输入/输出电容最大10 pF

产品优势

  • 可存储2 MB代码或缓冲区
  • 45 ns降低存储访问延迟
  • 45 ns tAA支持更快CPU
  • 22 ns OE加速随机读
  • 2.2–3.6 V适配常见3 V电源
  • 7 mA@1 MHz降低能耗
  • µA级待机延长电池续航
  • 1.5 V保持应对电源跌落
  • 10 µA保持降低备份供电需求
  • CE/OE/WE简化总线控制
  • 三态IO便于共享总线
  • 低电容提升信号完整性余量

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区