CY62177EV30LL-55BAXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62177EV30LL-55BAXIT

数据手册
封装

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CY62177EV30LL-55BAXIT
CY62177EV30LL-55BAXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    32 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    2M x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    55 ns

推荐的
OPN
CY62177EV30LL-55BAXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85191)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
TW,US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85191)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
TW,US
CY62177EV30LL-55BAXIT is a 32-Mbit (2M × 16/4M × 8) CMOS SRAM for portable systems, operating from 2.2 V to 3.6 V over -40°C to +85°C. The 55 ns speed grade supports ICC = 10 mA typ at 1 MHz and 45 mA max at fMax. Automatic chip-enable power-down cuts standby to 3 µA typ (25 µA max) and supports 1.5 V data retention for battery backup. It is offered in a Pb-free 48-ball FBGA (8 × 9.5 × 1.2 mm).

特性

  • 32-Mbit SRAM, 2M×16 or 4M×8
  • 55 ns read cycle time (tRC)
  • tDOE 25 ns OE to data valid
  • 2.2 V to 3.6 V VCC operation
  • 10 mA typ active at 1 MHz
  • 3 µA typ standby (25 µA max)
  • Auto power-down when deselected
  • Power drops 99% if addr not toggle
  • 1.5 V data retention voltage (VDR)
  • 20 µA max retention current
  • Tri-state I/Os via OE/CE/BHE/BLE

产品优势

  • Fits 8- or 16-bit bus designs
  • 55 ns access supports fast CPUs
  • 25 ns OE speeds read turn-on
  • 2.2–3.6 V suits battery systems
  • 10 mA typ cuts active power
  • µA standby extends battery life
  • Auto power-down saves idle power
  • 99% drop cuts static consumption
  • Retains data at 1.5 V supply
  • Low retention current saves energy
  • Tri-state enables easy expansion

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区