CY62177EV30LL-55BAXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62177EV30LL-55BAXIT

数据手册
封装

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CY62177EV30LL-55BAXIT
CY62177EV30LL-55BAXIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    32 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    2M x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推荐的
OPN
CY62177EV30LL-55BAXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85191)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85191)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62177EV30LL-55BAXIT是一款32-Mbit（2M×16/4M×8）CMOS SRAM，适用于便携系统，工作电压2.2 V至3.6 V，温度-40°C至+85°C。55 ns速度等级下，ICC在1 MHz时10 mA典型值，fMax时45 mA最大值。具备CE自动掉电，待机3 µA典型/25 µA最大，并支持1.5 V数据保持用于电池备份。提供Pb-free 48球FBGA（8×9.5×1.2 mm）。

特性

  • 32 Mbit SRAM，2M×16/4M×8
  • tRC读周期55 ns
  • OE到数据有效tDOE 25 ns
  • VCC工作2.2 V到3.6 V
  • 1 MHz典型有源电流10 mA
  • 待机典型3 µA，最大25 µA
  • 未选通自动掉电
  • 地址不翻转功耗降99%
  • 数据保持电压VDR 1.5 V
  • 保持电流最大20 µA
  • OE/CE/BHE/BLE三态I/O

产品优势

  • 适配8位或16位总线设计
  • 55 ns访问支持高速CPU
  • OE 25 ns加速读使能
  • 2.2–3.6 V适合电池供电
  • 典型10 mA降低有源功耗
  • µA级待机延长电池寿命
  • 自动掉电节省空闲功耗
  • 功耗降99%降低静态损耗
  • 1.5 V供电仍可保持数据
  • 低保持电流节省能量
  • 三态I/O便于存储扩展

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区