CY62187EV30LL-55BAXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62187EV30LL-55BAXI

High-Density 64 Mbit MoBL™ Parallel SRAM with Industrial Qualification
数据手册
封装

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CY62187EV30LL-55BAXI
CY62187EV30LL-55BAXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    4M x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    55 ns

推荐的
OPN
CY62187EV30LL-55BAXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-48
封装名 FBGA-48 (001-50044)
封装尺寸 420
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
TW,US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-48
封装名 FBGA-48 (001-50044)
封装尺寸 420
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
TW,US
CY62187EV30LL-55BAXI is a high-performance CMOS static RAM designed for providing More Battery Life™ (MoBL®) in portable applications such as cellular phones. With ultra-low active current and an Automatic Power Down feature reducing power consumption by 99%, it offers efficient power management. The device also supports a standby mode and High-Z state for versatile operation. Detailed instructions for write and read operations ensure comprehensive functionality.

特性

  • Very high speed: 55 ns
  • Wide voltage range: 2.2 V to 3.6 V
  • Ultra-low standby power
  • Ultra-low active power
  • Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE features
  • Automatic Power Down when deselected
  • CMOS for optimum speed and power
  • Available in Pb-free 48-ball FBGA package

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区