CY62187EV30LL-55BAXI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY62187EV30LL-55BAXI

符合工业标准的高密度 64 Mbit MoBL ™并行 SRAM
数据手册
封装

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CY62187EV30LL-55BAXI
CY62187EV30LL-55BAXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    4M x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推荐的
OPN
CY62187EV30LL-55BAXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-48
封装名 FBGA-48 (001-50044)
封装尺寸 420
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-48
封装名 FBGA-48 (001-50044)
封装尺寸 420
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62187EV30LL-55BAXI 是一款高性能 CMOS 静态 RAM，旨在为手机等便携式应用提供更长的电池寿命™ (MoBL ® )。它具有超低有效电流和自动关机功能，可将功耗降低 99%，从而提供高效的电源管理。该设备还支持待机模式和高阻状态，可实现多种操作。写入和读取操作的详细说明确保了全面的功能。

特性

  • 非常高的速度：55 ns
  • 宽电压范围：2.2 V 至 3.6 V
  • 超低待机功耗
  • 超低有功功率
  • 利用 CE1、CE2 和 OE 功能轻松扩展内存
  • 取消选择时自动关机
  • CMOS 可实现最佳速度和功率
  • 采用无铅 48 球 FBGA 封装

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区