CY62187EV30LL-55BAXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62187EV30LL-55BAXIT

数据手册
封装

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CY62187EV30LL-55BAXIT
CY62187EV30LL-55BAXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    4M x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    55 ns

推荐的
OPN
CY62187EV30LL-55BAXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-48
封装名 FBGA-48 (001-50044)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
TW,US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-48
封装名 FBGA-48 (001-50044)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TW
晶圆产地
TW,US
CY62187EV30LL-55BAXIT is a 64-Mbit (4M × 16) CMOS asynchronous SRAM for portable memory expansion. It operates from 2.2 V to 3.6 V across -40°C to +85°C with 55 ns access speed. Typical ICC is 15 mA at 1 MHz (38 mA max) and 45 mA typical at fMax (55 mA max). It supports easy memory expansion via CE1/CE2 and byte enables BHE/BLE. Automatic chip-enable power-down reduces standby to 8 µA typical (48 µA max). Pb-free 48-ball FBGA.

特性

  • 64-Mbit (4M × 16) SRAM
  • 55 ns read/write cycle time
  • 2.2 V to 3.6 V supply
  • 15 mA typ ICC at 1 MHz
  • 8 µA typ standby (Auto PD)
  • 48 µA max standby current
  • 48 µA max data retention current
  • Data retention at VCC = 1.5 V
  • Byte write via BLE/BHE
  • High-Z outputs with OE/CE
  • ESD > 2001 V (MIL-STD-883)
  • 20 mA output sink capability

产品优势

  • 16-bit bus boosts bandwidth
  • 55 ns access supports fast CPUs
  • 2.2–3.6 V fits many rails
  • Low ICC cuts active power
  • Auto power-down saves energy
  • µA standby extends battery life
  • 1.5 V retention backs up SRAM
  • Byte write cuts write power
  • High-Z outputs ease bus sharing
  • High ESD improves robustness
  • 20 mA sink drives loads directly
  • CMOS balances speed and power

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区