CY62187EV30LL-55BAXIT
现货，推荐
符合RoHS标准

CY62187EV30LL-55BAXIT

封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62187EV30LL-55BAXIT
CY62187EV30LL-55BAXIT

商品详情

  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    4M x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推荐的
OPN
CY62187EV30LL-55BAXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-48
封装名 FBGA-48 (001-50044)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-48
封装名 FBGA-48 (001-50044)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62187EV30LL-55BAXIT是一款64 Mbit（4M×16）CMOS异步SRAM，用于便携设备存储扩展。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，访问时间55 ns。1 MHz时ICC典型15 mA（最大38 mA），fMax时典型45 mA（最大55 mA）。支持CE1/CE2与BHE/BLE字节使能，便于存储扩展。片选自动掉电将待机电流降至典型8 µA、最大48 µA。无铅48球FBGA封装。

特性

  • 64 Mbit（4M×16）SRAM
  • 55 ns读/写周期
  • 2.2 V至3.6 V供电
  • 1 MHz典型ICC为15 mA
  • 自动掉电典型待机8 µA
  • 最大待机电流48 µA
  • 保持电流最大48 µA
  • VCC=1.5 V数据保持
  • BLE/BHE支持字节写
  • OE/CE控制输出高阻
  • ESD>2001 V(MIL-STD-883)
  • 输出灌电流能力20 mA

产品优势

  • 16位总线提升带宽
  • 55 ns访问支持高速处理器
  • 2.2–3.6 V适配多电源轨
  • 低ICC降低工作功耗
  • 自动掉电节省能量
  • 微安待机延长电池寿命
  • 1.5 V保持支持断电保护
  • 字节写降低写入功耗
  • 高阻输出便于共享总线
  • 高ESD提升可靠性
  • 20 mA灌电流可直接驱动
  • CMOS兼顾速度与功耗

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区