CY62187G30-55BAXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62187G30-55BAXI

数据手册
封装

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CY62187G30-55BAXI
CY62187G30-55BAXI
数据手册

商品详情

  • 实时时钟
    N
  • 密度
    64 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 看门狗定时器
    N
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    4Mb x 16
  • 警报
    N
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推荐的
OPN
CY62187G30-55BAXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-48
封装名 FBGA-48 (001-50044)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-LFBGA-48
封装名 FBGA-48 (001-50044)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62187G30-55BAXI是一款64-Mbit（4M×16）MoBL SRAM，内置ECC实现单比特纠错，并提供ERR引脚指示错误。器件在-40至85°C、2.2 V至3.6 V下工作，访问时间55 ns。支持自动掉电，待机电流典型6 µA（最大38 µA），并支持1.0 V数据保持。器件I/O与TTL兼容，封装为无铅48-ball VFBGA，带双片选使能。

特性

  • 64-Mbit SRAM（4M×16）
  • 内置ECC，1位纠错
  • ERR引脚指示1位错误
  • VCC工作2.2 V到3.6 V
  • 55 ns读/写周期时间
  • OE到数据有效25 ns
  • 待机6 µA典型/38 µA最大
  • CE/BHE/BLE自动掉电
  • BLE/BHE支持字节写入
  • 未选通时输出高阻
  • 1.0 V数据保持模式
  • TTL兼容输入/输出

产品优势

  • 适配16位存储总线系统
  • ECC提升数据完整性
  • ERR简化故障监测
  • 兼容2.2–3.6 V电源轨
  • 55 ns实现快速SRAM访问
  • OE 25 ns加快读响应
  • µA级待机延长电池寿命
  • 自动掉电降低空闲功耗
  • 字节写减少写入带宽
  • 高阻态便于共享总线
  • 1.0 V保持降低备份功耗
  • TTL接口简化逻辑连接

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区