CY7C1041G-10ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1041G-10ZSXI

数据手册
封装

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CY7C1041G-10ZSXI
CY7C1041G-10ZSXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推荐的
OPN
CY7C1041G-10ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW
CY7C1041G-10ZSXI is a 4-Mbit (256K × 16) asynchronous CMOS SRAM with embedded ECC for single-bit error correction. This 10 ns, 4.5 V to 5.5 V industrial (-40 to 85°C) device supports byte reads/writes via BLE/BHE and uses CE/OE/WE control. It is offered in a Pb-free 44-pin TSOP II package, and specifies ICC 45 mA max at 100 MHz, ISB2 8 mA max power-down, and TTL-compatible I/O levels.

特性

  • 4-Mbit SRAM (256K × 16)
  • Embedded ECC single-bit correct
  • ERR pin flags corrected read errors
  • Address access time tAA 10 ns/15 ns
  • Read cycle time tRC 10 ns/15 ns
  • OE to data valid tDOE 4.5 ns max
  • Byte write/read via BHE and BLE
  • Automatic CE power-down mode
  • Data retention down to 1.0 V
  • Industrial temp -40°C to +85°C
  • TTL-compatible inputs and outputs

产品优势

  • ECC improves data integrity in SRAM
  • ERR pin enables fault monitoring
  • 10 ns access supports fast CPU buses
  • Fast tDOE reduces read latency
  • Byte enables cut bandwidth and power
  • CE power-down lowers idle current
  • 1.0 V retention keeps backup data
  • Wide temp range boosts reliability
  • TTL I/O simplifies logic interfacing
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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