CY7C1041G30-10VXI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY7C1041G30-10VXI

封装

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CY7C1041G30-10VXI
CY7C1041G30-10VXI

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CY7C1041G30-10VXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SOJ-44
封装名 SOJ-44 (51-85082)
封装尺寸 510
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SOJ-44
封装名 SOJ-44 (51-85082)
封装尺寸 510
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1041G30-10VXI是一款4 Mbit（256K×16）异步高速SRAM，集成ECC用于单比特纠错。工作电压2.2 V至3.6 V，温度-40°C至85°C，访问时间10 ns。CMOS I/O支持BLE/BHE字节写入，器件未选通时I/O三态。典型工作电流38 mA（最大45 mA，100 MHz），CMOS待机电流ISB2典型6 mA。-10VXI为44引脚SOJ封装。

特性

  • 4-Mbit SRAM(256K×16)
  • 内置ECC单比特纠错
  • ERR引脚指示纠错事件
  • 地址访问时间tAA 10/15 ns
  • 读周期时间tRC 10/15 ns
  • OE到数据有效tDOE 4.5 ns
  • BHE/BLE实现按字节访问
  • 支持CE自动掉电模式
  • 数据保持电压低至1.0 V
  • 工作温度-40°C到+85°C
  • 输入/输出TTL兼容

产品优势

  • ECC提升SRAM数据可靠性
  • ERR引脚便于故障监测
  • 10 ns访问支持高速总线
  • tDOE快可降低读延迟
  • 字节使能减少带宽与功耗
  • CE掉电降低待机电流
  • 1.0 V保持利于备份供电
  • 宽温工作提升系统可靠性
  • TTL接口简化逻辑连接

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区