CY7C1041G30-10ZSXET
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1041G30-10ZSXET

封装

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CY7C1041G30-10ZSXET
CY7C1041G30-10ZSXET

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 16
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CY7C1041G30-10ZSXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1041G30-10ZSXET是一款4 Mbit（256K×16）异步CMOS SRAM，内置ECC实现单比特纠错。器件通过AEC-Q100认证，工作电压2.2 V至3.6 V，访问时间10 ns。Automotive-E等级温度范围-40°C至125°C。BLE/BHE支持上下字节读写，未选通时输出为高阻。VCC=3.6 V时ISB2待机电流典型6 mA。

特性

  • 4 Mbit SRAM（256K×16）
  • 内置ECC，单比特纠错
  • 地址访问时间tAA 10 ns
  • 读周期时间tRC 10 ns
  • OE到数据有效tDOE 4.5 ns
  • BHE/BLE支持字节写
  • 双片选CE1/CE2逻辑
  • 未选通/禁用时I/O高阻
  • VCC工作范围2.2 V至3.6 V
  • 1.0 V数据保持
  • ICC典型40 mA，最大50 mA
  • ISB2待机典型6 mA，最大14

产品优势

  • 匹配16位系统，减少芯片数
  • 纠正1位错误，提升数据完整性
  • 10 ns访问降低读延迟
  • 10 ns周期支持高速总线操作
  • 4.5 ns OE加速异步读
  • 字节写降低写入带宽
  • CE1/CE2简化片选译码
  • 高阻输出便于总线共享
  • 2.2-3.6 V兼容3.3 V电源
  • 1.0 V保持减少备份功耗
  • 明确ICC便于功耗预算
  • 低待机电流降低空闲功耗
文档

设计资源

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