CY7C1051H30-10BV1XET
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1051H30-10BV1XET

封装

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CY7C1051H30-10BV1XET
CY7C1051H30-10BV1XET

商品详情

  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 16
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CY7C1051H30-10BV1XET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1051H30-10BV1XET是一款通过AEC-Q100认证的8-Mbit（512K × 16）高速异步CMOS SRAM，内置ECC。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围–40°C至+125°C，地址访问时间10 ns。CE/OE/WE控制、BHE/BLE字节使能及TTL兼容I/O便于接口与存储器扩展；自动掉电与1.0 V数据保持支持低待机功耗。

特性

  • 8 Mb(512K×16)静态SRAM
  • 内置ECC
  • 19位地址总线A0-A18
  • 16位I/O总线I/O0-I/O15
  • 字节写使能BLE/BHE
  • tAA=10 ns
  • tRC=10 ns
  • tDOE=5 ns
  • VCC=2.2 V到3.6 V
  • 工作温度-40°C到125°C
  • CE高电平自动掉电
  • VDR=1.0 V数据保持

产品优势

  • 满足16位宽存储需求
  • ECC提升数据完整性
  • 512K直接寻址无需转换
  • 16位总线提升吞吐率
  • 字节写减少无效写入
  • 10 ns访问匹配高速CPU
  • 10 ns周期降低等待时间
  • OE=5 ns加快读时序
  • 2.2–3.6 V兼容常用电源
  • 适应-40°C到125°C环境
  • 片选掉电降低待机功耗
  • 1.0 V保持节省后备电源

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区