CY7C1051H30-10BVXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1051H30-10BVXIT

数据手册
封装

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CY7C1051H30-10BVXIT
CY7C1051H30-10BVXIT
数据手册

商品详情

  • 实时时钟
    N
  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 看门狗定时器
    N
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 16
  • 警报
    N
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CY7C1051H30-10BVXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1051H30-10BVXIT是一款8 Mbit（512K×16）异步CMOS SRAM，集成ECC用于单比特错误校正（不支持自动回写）。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围−40°C至+85°C，访问时间10 ns。单CE片选，并通过BLE/BHE实现字节读写，配合OE和WE控制。典型ICC为90 mA（100 MHz），CMOS待机ISB2为20 mA（典型）。

特性

  • 8 Mbit（512K×16）SRAM阵列
  • 内置ECC单比特纠错
  • 10 ns地址访问（tAA）
  • 10 ns读写周期（tRC/tWC）
  • VCC工作范围2.2 V至3.6 V
  • 100 MHz时ICC典型90 mA
  • ISB2待机电流典型20 mA
  • 1.0 V数据保持模式
  • TTL兼容输入/输出电平
  • 字节写使能（BHE、BLE）
  • 未选中时输出高阻态
  • 环境温度-40°C至+85°C

产品优势

  • 适配16位总线，减少胶合逻辑
  • ECC纠正单比特错误更可靠
  • 10 ns访问减少CPU等待
  • 10 ns周期支持高速读写
  • 2.2–3.6 V适配多电源系统
  • ICC典型90 mA降低有功功耗
  • 待机电流降低空闲功耗
  • 1.0 V保持降低备电需求
  • TTL电平便于连接旧系统
  • 字节写减少无效写带宽
  • 高阻输出便于多器件共享总线
  • -40°C至+85°C提升可靠性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区