CY7C1059H30-10ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1059H30-10ZSXI

Additional technical information
封装

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CY7C1059H30-10ZSXI
CY7C1059H30-10ZSXI
Additional technical information

商品详情

  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 8
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY7C1059H30-10ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 675
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1059H30-10ZSXI是一款8-Mbit（1M×8）异步CMOS SRAM，内置ECC实现单比特错误校正。访问时间10 ns，工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，支持1.0 V数据保持，并提供TTL兼容I/O。双片选配合OE/WE控制及I/O三态，便于处理器接口。采用无铅44引脚TSOP II封装。

特性

  • 8 Mbit SRAM（1M×8）
  • 内置ECC，单比特纠错
  • VCC范围2.2 V至3.6 V
  • 1.0 V数据保持模式
  • 访问时间tAA=10 ns
  • 读周期tRC=10 ns
  • 写周期tWC=10 ns
  • OE到数据有效5 ns
  • 双片选使能CE1/CE2
  • 三态输出（OE/CE/WE）
  • TTL兼容I/O门限
  • ERR指示1位ECC事件

产品优势

  • ECC纠正单比特存储错误
  • ERR引脚便于故障监测
  • 10 ns周期支持高速总线
  • OE延迟5 ns加快读出
  • 2.2-3.6 V适配3.3 V
  • 1.0 V保持降低备电功耗
  • 双片选简化存储器选通
  • 三态I/O便于多器件共享
  • TTL门限简化逻辑接口
  • I/O漏电±1 µA降低损耗
  • CE掉电降低待机电流
  • 高速SRAM减少等待周期

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区