CY7C10612G30-10ZSXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C10612G30-10ZSXI

数据手册
封装

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CY7C10612G30-10ZSXI
CY7C10612G30-10ZSXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CY7C10612G30-10ZSXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 216
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 216
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C10612G30-10ZSXI是一款16-Mbit（1M×16）异步CMOS SRAM，集成ECC用于单比特纠错。10 ns器件，供电3 V至3.6 V，工业级温度-40°C至+85°C，采用单片选并配合OE/WE控制。支持BLE/BHE字节写，未选中时I/O三态，最大工作电流110 mA。提供无铅54引脚TSOP II封装。

特性

  • 16 Mbit SRAM，1M×16
  • 地址访问10 ns (tAA)
  • 读周期10 ns (tRC)
  • 内置ECC，纠正1位错误
  • ERR输出指示ECC事件
  • 字节写使能BLE/BHE
  • OE/CE控制三态输出
  • 单电源3.3 V±0.3 V
  • TTL兼容输入/输出
  • 1.0 V数据保持模式
  • ICC典型90 mA@100 MHz
  • 工作温度-40°C到+85°C

产品优势

  • 10 ns读降低存储延迟
  • 16位总线提升吞吐量
  • ECC提升数据完整性
  • ERR引脚便于故障监测
  • 字节写减少写带宽
  • 三态输出支持总线共享
  • 3.3 V供电简化电源设计
  • TTL电平便于接口匹配
  • 低电压下保持关键数据
  • ICC典型90 mA降低功耗
  • 待机掉电节省能耗
  • -40°C到+85°C更可靠

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区