CY7C1061GE30-10ZSXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1061GE30-10ZSXIT

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY7C1061GE30-10ZSXIT
CY7C1061GE30-10ZSXIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CY7C1061GE30-10ZSXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1061GE30-10ZSXIT是一款16-Mbit（1M×16）异步SRAM，内置ECC。其工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至85°C，访问时间10 ns。单比特纠错由ERR输出指示。支持BHE/BLE字节写入与CE自动掉电，采用无铅54引脚TSOP II（编带）封装，适用于工业网络、控制与缓冲。

特性

  • 16 Mbit(1M×16)异步SRAM
  • 内置ECC单比特纠错
  • ERR输出指示纠正的1位错
  • tAA访问时间10 ns/15 ns
  • 16位I/O，BLE/BHE字节写
  • 单或双片选输入
  • 片选自动掉电(ISB1/ISB2)
  • ICC典型90 mA@100 MHz
  • 1.0 V数据保持模式
  • TTL兼容I/O电平
  • 环境温度-40°C至+85°C
  • ESD>2001 V(MIL-STD-883)

产品优势

  • ECC提升SRAM数据完整性
  • ERR引脚便于错误监测
  • 10 ns访问支持高速读取
  • 字节写减少写入带宽
  • 片选选项便于系统集成
  • 自动掉电降低待机功耗
  • 1.0 V保持降低备份电源
  • TTL电平简化总线接口
  • -40°C至+85°C更可靠
  • 高ESD提升装配裕量
  • 更低有源电流减小发热
  • 异步SRAM简化控制器逻辑

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区