CY7C1061GN30-10ZXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1061GN30-10ZXI

数据手册
封装

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CY7C1061GN30-10ZXI
CY7C1061GN30-10ZXI
数据手册

商品详情

  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压
    3.6 V
  • 工作电压
    2.2 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    2M x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CY7C1061GN30-10ZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 192
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 192
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1061GN30-10ZXI是一款16 Mbit（1M×16）异步CMOS SRAM，访问时间10 ns。工作电压2.2 V至3.6 V，工业级温度范围−40°C至+85°C，未选通时支持自动掉电。器件提供20根地址线A0–A19、16位I/O及BLE/BHE字节写入、TTL兼容电平、1.0 V数据保持，并采用无铅48引脚TSOP I（ZX）封装，适用于总线扩展存储。

特性

  • 1,048,576×16 SRAM阵列
  • tAA访问时间10 ns/15 ns
  • 工作电压VCC 2.2 V至3.6 V
  • 数据保持VDR最小1.0 V
  • BLE/BHE支持字节写入
  • 双片选CE1与CE2
  • 未选通自动掉电
  • OE控制输出高阻态
  • 100 MHz时ICC典型90 mA
  • CMOS待机ISB2典型20 mA
  • IIX/IOZ漏电±1 µA
  • ESD >2001 V(883方法)

产品优势

  • 16位总线提升吞吐量
  • 10 ns访问支持高速读取
  • 2.2–3.6 V兼容常见电源
  • 1.0 V保持可保存数据
  • 字节写降低写入带宽
  • 双片选便于扩展存储
  • 自动掉电降低空闲功耗
  • 高阻输出便于共享总线
  • 低漏电提升待机表现
  • 高ESD提升系统可靠性
  • CMOS SRAM接口实现简单
  • 时序明确降低设计风险
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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