CY7C1061GN30-10ZXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1061GN30-10ZXIT

数据手册
封装

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CY7C1061GN30-10ZXIT
CY7C1061GN30-10ZXIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推荐的
OPN
CY7C1061GN30-10ZXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
TW
CY7C1061GN30-10ZXIT是一款16 Mbit（1M×16）的异步CMOS SRAM，访问时间10 ns。工作电压2.2 V至3.6 V，器件未选通时支持自动掉电。通过BLE/BHE实现按字节写入，采用单片选控制。规格支持最高100 MHz，ICC典型90 mA（最大110 mA），提供无铅48引脚TSOP I封装（编带卷盘），工业温度范围。

特性

  • 1M字×16位SRAM阵列
  • tAA地址访问10 ns/15 ns
  • tRC读周期10 ns/15 ns
  • tDOE OE访问5 ns/8 ns
  • VCC工作电压2.2 V至3.6 V
  • VDR数据保持低至1.0 V
  • 数据保持电流最大30 mA
  • 100 MHz时ICC典型90 mA
  • 未选通自动掉电
  • I/O电平TTL兼容
  • 双片选CE1与CE2
  • 双字节使能BLE与BHE

产品优势

  • 16位总线提升带宽
  • 10 ns级读出降低延迟
  • 快速OE加快总线启用
  • 2.2-3.6 V适配常用电源
  • 1.0 V保持降低待机功耗
  • 自动掉电减少空闲电流
  • TTL电平便于逻辑连接
  • CE1/CE2简化存储扩展
  • 字节使能支持8位写入
  • 低泄漏利于低功耗待机
  • 高阻输出避免总线争用
  • 明确时序加快设计导入
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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