CY7C1373KV33-133AXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1373KV33-133AXI

封装

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CY7C1373KV33-133AXI
CY7C1373KV33-133AXI

商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    18 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    3.135 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 18
  • 架构
    NoBL, Flow-through
  • 片上端接
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 系列
    NoBL
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 18
  • 脉冲长度 (Words)
    4
  • 认证标准
    Industrial
  • 读取延迟(周期)
    1
  • 银行切换
    N
  • 频率
    133 MHz
推荐的
OPN
CY7C1373KV33-133AXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TQFP-100
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 144
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TQFP-100
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 144
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1373KV33-133AXI是一款18-Mbit（1M×18）同步直通突发SRAM，采用No Bus Latency（NoBL）架构并集成片上ECC。支持最高133 MHz运行，时钟到输出6.5 ns，实现零等待状态的连续读/写切换。内核电源3.135 V至3.6 V，VDDQ I/O为2.5 V或3.3 V，100引脚TQFP封装，工业级-40°C至+85°C温度范围。

特性

  • NoBL架构，无空转周期
  • 最高133 MHz，零等待
  • 133 MHz时钟到输出6.5 ns
  • 每个时钟周期传输数据
  • 突发：线性或交错
  • BWx+WE支持字节写
  • 同步输入带寄存器
  • 自定时同步写入
  • 异步OE输出使能控制
  • 3个片选CE1/CE2/CE3
  • ZZ睡眠；进/出需2tCYC
  • 片上ECC降低软错误

产品优势

  • 读写无缝切换，避免停顿
  • 133 MHz总线实现高吞吐
  • 快速访问满足严苛时序
  • 逐周期传输更可预测
  • 突发传输提升流式效率
  • 无需全字写即可更新字节
  • 简化同步时序设计
  • 高速写入更可靠
  • 总线三态控制更简单
  • 简化分组选通/扩展
  • 睡眠模式降低待机功耗
  • 辐射环境下数据更可靠

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区