CY7C1460KVE33-200AXC
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1460KVE33-200AXC

封装

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CY7C1460KVE33-200AXC
CY7C1460KVE33-200AXC

商品详情

  • ECC
    Y
  • 密度
    36 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    0 °C 至 70 °C
  • 工作电压 范围
    3.14 V 至 3.63 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    NoBL, Pipeline
  • 片上端接
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 系列
    Synchronous SRAM with ECC
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 36
  • 认证标准
    Commercial
  • 读取延迟(周期)
    1
  • 银行切换
    N
  • 频率
    200 MHz
推荐的
OPN
CY7C1460KVE33-200AXC
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TQFP-100
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 360
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TQFP-100
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 360
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1460KVE33-200AXC是一款36 Mbit（1M×36）同步流水线突发SRAM，采用No Bus Latency（NoBL）架构并集成片上ECC。支持200 MHz总线，输入/输出全寄存器化，支持4拍线性或交织突发。提供字节写使能与同步自定时写入，并支持流水线去选通/三态以避免总线争用；ZZ睡眠模式保证数据保持。

特性

  • 36 Mbit同步流水SRAM
  • NoBL逻辑，零等待突发
  • 支持250 MHz总线操作
  • 时钟到输出tCO最大2.5 ns
  • 输入/输出上升沿全寄存
  • 片上突发计数器，最多4拍
  • 线性或交织突发顺序
  • BW[x]字节写选择
  • 同步自定时写入
  • CEN时钟使能暂停操作
  • ZZ睡眠模式，数据保持
  • IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

产品优势

  • 零等待提高系统吞吐量
  • 250 MHz满足高速数据通路
  • 2.5 ns tCO降低读延迟
  • 全寄存I/O简化时序收敛
  • 4拍突发减少地址翻转
  • 突发访问适合缓存行传输
  • 字节写简化读改写更新
  • 自定时写简化控制逻辑
  • CEN支持快速暂停/恢复
  • ZZ睡眠降低待机功耗
  • 睡眠保持数据更安全
  • JTAG加速板级测试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区