CY7C1461KV33-133AXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1461KV33-133AXI

数据手册
封装

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CY7C1461KV33-133AXI
CY7C1461KV33-133AXI
数据手册


商品详情

  • ECC
    N
  • Frequency
    133 MHz
  • 密度
    36 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    3.14 V 至 3.63 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    NoBL, Flow-through
  • 片上端接
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 系列
    NoBL
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 36
  • 读取延迟(周期)
    1
  • 质量等级
    Industrial
  • 银行切换
    N

推荐的
OPN
CY7C1461KV33-133AXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TQFP-100
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 72
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
PH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TQFP-100
封装名 TQFP-100 (51-85050)
封装尺寸 72
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
PH
晶圆产地
TW
CY7C1461KV33-133AXI是一款36 Mbit（1M×36）同步直通突发SRAM，采用NoBL™架构，可在最高133 MHz下实现读写真正背靠背传输且零等待。其输入为寄存器结构并支持字节写控制，适合高吞吐缓冲。VDD为3.135 V至3.6 V，VDDQ支持2.5 V或3.3 V，Pb-free 100引脚TQFP封装，温度-40°C至+85°C。

特性

  • NoBL消除读写空周期
  • 高达133 MHz，零等待
  • 每个时钟周期传输数据
  • 同步直通式突发SRAM
  • 线性或交错突发顺序
  • 6.5 ns时钟到数据有效
  • VDD 3.135 V至3.6 V
  • VDDQ 2.375 V至2.625 V
  • BWX+WE实现字节写入
  • 3个片选输入(CE1-CE3)
  • 异步OE三态输出控制
  • ZZ睡眠模式保持数据

产品优势

  • 读写无缝切换无停顿
  • 133 MHz提升带宽吞吐
  • 单周期数据支撑高速计算
  • 同步时序可预测易集成
  • 突发传输降低控制开销
  • 6.5 ns输出便于时序收敛
  • 3.3 V内核供电易供电
  • 2.5 V/3.3 V I/O适配系统
  • 字节写减少无效写流量
  • 3片选便于存储体扩展
  • OE三态避免总线争用
  • 睡眠降功耗且数据保留

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区