CY7C1470EV33-1X11I
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1470EV33-1X11I

数据手册

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CY7C1470EV33-1X11I
CY7C1470EV33-1X11I
数据手册

商品详情

  • 密度
    72 MBit
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    3.135 V 至 3.6 V
  • 接口
    Parallel
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY7C1470EV331X11IX5SA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
封装尺寸 6
封装类型 WAFFLE PACK
湿度 N/A
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 6
封装类型 WAFFLE PACK
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1470EV33-1X11I是一款72 Mbit同步流水突发SRAM，采用No Bus Latency（NoBL）架构，支持零等待连续读写。最高总线频率250 MHz，输入/输出全寄存，时钟到输出时间3.0 ns。内核电压3.135 V至3.6 V，I/O电压3.135 V至VDD或2.375 V至2.625 V，并提供字节写入与ZZ睡眠模式。

特性

  • 72 Mbit同步流水SRAM
  • NoBL
  • 250 MHz
  • 输入/输出全寄存器
  • 线性或交织突发顺序
  • BWx
  • VDD 3.135 3.6 V
  • VDDQ 2.5 V/3.3 V
  • 250 MHztCO 3.0 ns
  • ZZ
  • IEEE 1149.1 JTAG
  • 中子SER: 361 FIT/Mb(25C)

产品优势

  • 连续读写无等待、无停顿
  • 每个时钟周期吞吐更高
  • 兼容ZBT
  • 确定性时序易收敛
  • 突发访问适合流数据
  • 字节写减少重写带宽
  • 单电源内核简化供电
  • 直连2.5/3.3 V逻辑
  • 3.0 ns tCO降低读延迟
  • 睡眠/停钟降低空闲功耗
  • JTAG
  • 降低系统软错误风险

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区