CY7C1543KV18-400BZI
现货，推荐

CY7C1543KV18-400BZI

封装

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CY7C1543KV18-400BZI
CY7C1543KV18-400BZI

商品详情

  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Pb
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    QDR-II+
  • 组织(X x Y)
    4M x 18
  • 认证标准
    Industrial
  • 频率
    400 MHz
推荐的
OPN
CY7C1543KV18-400BZI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
P-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 136
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
P-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 136
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1543KV18-400BZI是一款72-Mbit QDR II+同步流水SRAM（4M × 18），读写端口独立，可并发访问并消除数据总线反转。支持2.0周期读延迟，DDR I/O在最高400 MHz时钟下实现900 MHz数据传输。供电为1.8 V VDD（1.7–1.9 V），VDDQ为1.4 V至VDD，提供165球FBGA封装，工业级-40至+85°C运行。

特性

  • 独立读端口与写端口
  • 读写端口均为DDR接口
  • 时钟频率高达450 MHz
  • 450 MHz下数据传输900 MHz
  • 每次访问四字突发
  • DOFF=高时读延迟2周期
  • DOFF=低时读延迟1周期
  • 输入时钟K与K(上升沿)
  • 回波时钟CQ/CQ便于采样
  • QVLD输出数据有效指示
  • ZQ可编程输出阻抗
  • IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

产品优势

  • 无需总线反向切换与争用
  • 提升带宽满足高速系统
  • 地址频率更低便于布线
  • 可选延迟便于时序收敛
  • 回波时钟简化高速采样
  • QVLD降低读出时序不确定
  • 阻抗匹配提升信号完整性
  • PLL保证数据相位更准确
  • 深度扩展无需额外等待
  • 字节写减少读改写操作
  • VDDQ 1.4 V至VDD易接口
  • JTAG加速板级调试测试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区