CY7C15632KV18-450BZXC
现货，推荐
符合RoHS标准

CY7C15632KV18-450BZXC

数据手册
封装

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CY7C15632KV18-450BZXC
CY7C15632KV18-450BZXC
数据手册

商品详情

  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    0 °C 至 70 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    QDR-II+
  • 组织(X x Y)
    4M x 18
  • 认证标准
    Commercial
  • 频率
    450 MHz
推荐的
OPN
CY7C15632KV18-450BZXC
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 680
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 680
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C15632KV18-450BZXC是一款72 Mbit QDR II+同步流水SRAM（4 M×18），读写端口分离，避免数据总线换向。支持450 MHz时钟，读写端口均为DDR传输，并支持四字突发与2.5个周期读延迟。工作温度0°C至70°C，内核VDD为1.8 V±0.1 V，VDDQ为1.4 V至VDD，采用165球FBGA无铅封装。

特性

  • QDR II+ SRAM，72 Mbit
  • 独立读/写数据端口
  • 支持读写并发访问
  • 500 MHz时钟工作
  • DDR I/O，1000 MHz传输
  • 四字突发架构
  • 2.5周期读延迟(DOFF=高)
  • CQ/CQ回波时钟采集
  • QVLD指示输出数据有效
  • IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

产品优势

  • 72 Mbit满足大容量缓存
  • 免总线翻转，带宽更高
  • 并行读写减少资源争用
  • 500 MHz实现高吞吐
  • DDR每时钟翻倍数据率
  • 突发降低地址总线翻转
  • 固定延迟简化时序设计
  • CQ/CQ简化高速采样
  • QVLD降低读数错误
  • JTAG加速板级测试调试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区