CY7C1565KV18-400BZI
现货，推荐

CY7C1565KV18-400BZI

封装

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CY7C1565KV18-400BZI
CY7C1565KV18-400BZI

商品详情

  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Pb
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    QDR-II+
  • 组织(X x Y)
    2M x 36
  • 认证标准
    Industrial
  • 频率
    400 MHz
推荐的
OPN
CY7C1565KV18-400BZI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
P-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 136
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
P-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 136
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1565KV18-400BZI是一款72-Mbit QDR II+同步流水SRAM（2M × 36），具有独立读/写端口和四字突发。读写两端口均支持DDR传输，使用两路输入时钟K/K，并提供回波时钟CQ/CQ与QVLD指示便于数据采样。内核电源1.7 V至1.9 V，VDDQ为1.4 V至VDD。-400速度等级支持400 MHz，采用165球FBGA封装。

特性

  • QDR II+四字突发
  • 读写端口相互独立
  • 读写端口均为DDR接口
  • DOFF=H时2.5周期读延迟
  • DOFF=L时1周期读延迟
  • 最高550 MHz时钟
  • 数据有效距时钟沿0.45 ns
  • CQ/CQ回波时钟便于采样
  • QVLD提前0.5周期指示数据
  • RQ可编程输出阻抗
  • 片上PLL最低工作120 MHz
  • IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

产品优势

  • 无需总线翻转，减少争用
  • 550 MHz DDR提升带宽
  • 四字突发降低地址总线频率
  • 可选延迟，放宽时序裕量
  • 1周期模式降低读延迟
  • 0.45 ns有效支持紧时序
  • CQ/CQ简化高速数据采样
  • QVLD简化选通与时序对齐
  • 阻抗匹配提升信号完整性
  • PLL提升数据定位精度
  • 深度扩展无需等待状态
  • JTAG加速板级测试与调试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区