CY7C1612KV18-300BZXI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY7C1612KV18-300BZXI

封装

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CY7C1612KV18-300BZXI
CY7C1612KV18-300BZXI

商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    144 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 18
  • 架构
    QDR-II
  • 片上端接
    N
  • 系列
    QDR-II
  • 组织(X x Y)
    8Mb x 18
  • 脉冲长度 (Words)
    2
  • 认证标准
    Industrial
  • 读取延迟(周期)
    1.5
  • 银行切换
    N
  • 频率
    300 MHz
推荐的
OPN
CY7C1612KV18-300BZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 525
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 525
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1612KV18-300BZXI为144 Mbit QDR II同步流水SRAM，容量8M×18，读写端口独立，支持并发事务。支持300 MHz时钟与DDR传输（数据率600 MHz）、两字突发访问、回波时钟CQ/CQ，以及可选PLL和可编程阻抗。VDD为1.7–1.9 V，VDDQ为1.4 V–VDD，165球FBGA封装，工业级温度-40至+85°C。

特性

  • 独立读写双数据端口
  • 360 MHz时钟运行
  • DDR接口，数据达720 MHz
  • 所有访问均两字突发
  • 双输入时钟K和K
  • 独立输出时钟C和C
  • 回波时钟CQ和CQ
  • DOFF=1时1.5周期延迟
  • DOFF=0时1周期延迟
  • VDD电源1.8 V
  • VDDQ为1.4 V到VDD
  • IEEE 1149.1-2001 JTAG

产品优势

  • 无需总线翻转，带宽更高
  • 读写可并发进行
  • 360 MHz实现高吞吐
  • 回波时钟简化数据采样
  • C/C时钟降低时序偏斜
  • 可选延迟更易配时序
  • PLL提升数据对齐裕量
  • JTAG简化板级测试
  • 端口选择实现深度扩展
  • VDDQ范围便于接口匹配
  • 规定上电流程避免故障
  • 低软错误提升数据可靠性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区