CY7C1613KV18-300BZXC
现货，推荐
符合RoHS标准

CY7C1613KV18-300BZXC

封装

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CY7C1613KV18-300BZXC
CY7C1613KV18-300BZXC

商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    144 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    0 °C 至 70 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 18
  • 架构
    QDR-II
  • 片上端接
    N
  • 系列
    QDR-II
  • 组织(X x Y)
    8Mb x 18
  • 脉冲长度 (Words)
    4
  • 认证标准
    Commercial
  • 读取延迟(周期)
    1.5
  • 银行切换
    N
  • 频率
    300 MHz
推荐的
OPN
CY7C1613KV18-300BZXC
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 525
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 525
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1613KV18-300BZXC是一款144-Mbit QDR II同步流水突发SRAM，内部组织为8 M × 18，读写端口独立以消除数据总线翻转。支持四字突发与DDR传输（300 MHz时钟下数据600 MHz）。内核VDD为1.8 V±0.1 V，VDDQ为1.4 V至VDD，165球FBGA封装，并可通过DOFF选择1.5周期或1周期读延迟。

特性

  • 独立读写端口，无需总线翻转
  • 333 MHz时钟，DDR达666 MHz
  • 每地址四字突发传输
  • DOFF=H时1.5周期读延迟
  • DOFF=L时1周期读延迟
  • 单时钟模式（C/C上拉）
  • CQ/CQ回显时钟便于采样
  • PLL稳定时钟后20 us锁定
  • ZQ+RQ可编程输出阻抗
  • BWS[x:0]支持字节写
  • 内核1.7-1.9 V；I/O 1.4 V
  • IEEE 1149.1 JTAG测试口

产品优势

  • 消除总线翻转等待，提高效率
  • 333 MHz时钟实现高带宽
  • 降低地址频率，减少地址引脚
  • 流水线读时序更可预测
  • 可选QDR I更低读延迟
  • 简化时钟方案，降低偏斜风险
  • 回显时钟简化高速采样
  • PLL快速锁定加快上电启动
  • 阻抗匹配改善信号完整性
  • 字节写无需读改写流程
  • 兼容1.5 V或1.8 V I/O供电
  • 边界扫描加速PCB测试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区