CY7C1645KV18-400BZXI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY7C1645KV18-400BZXI

数据手册
封装

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CY7C1645KV18-400BZXI
CY7C1645KV18-400BZXI
数据手册

商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    144 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    QDR-II+
  • 片上端接
    N
  • 系列
    QDR-II+
  • 组织(X x Y)
    4Mb x 36
  • 脉冲长度 (Words)
    4
  • 认证标准
    Industrial
  • 读取延迟(周期)
    2
  • 银行切换
    N
  • 频率
    400 MHz
推荐的
OPN
CY7C1645KV18-400BZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 210
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1645KV18-400BZXI是一款144-Mbit QDR II+同步流水SRAM，组织为4 M × 36，读写端口分离以消除数据总线反转。支持四字突发传输，读延迟2个周期（DOFF可切换为1周期QDR I模式），DDR I/O时钟最高400 MHz（800 MT/s），提供回波时钟与QVLD、HSTL I/O，以及片上PLL（120 MHz至最大频率）和JTAG 1149.1。

特性

  • 144-Mbit QDR II+突发SRAM
  • 读写端口彼此独立
  • DDR接口，数据达900 MHz
  • 最高450 MHz时钟
  • 每次访问四字突发
  • 读延迟2周期(DOFF高)
  • QDR I模式：1周期延迟
  • 双输入时钟K与K
  • 回波时钟CQ与CQ
  • QVLD数据有效指示
  • PLL稳定20 µs后锁定
  • 可编程输出阻抗(ZQ)

产品优势

  • 消除总线反转等待时间
  • 实现更高内存带宽
  • 降低地址总线切换频率
  • 回波时钟简化时序
  • QVLD让采样更轻松
  • 读写独立并行流水
  • 读后写保持数据一致性
  • 阻抗匹配提升信号完整性
  • 减少PVT下板级调参
  • PLL自动锁定加快启动
  • 深度扩展无需等待状态
  • JTAG接口简化测试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区