CY7C25442KV18-333BZI
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CY7C25442KV18-333BZI

数据手册
封装

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CY7C25442KV18-333BZI
CY7C25442KV18-333BZI
数据手册

商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    72 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Pb
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    QDR-II+, ODT
  • 片上端接
    Y
  • 系列
    QDR-II+, ODT
  • 组织(X x Y)
    2Mb x 36
  • 脉冲长度 (Words)
    2
  • 认证标准
    Industrial
  • 读取延迟(周期)
    2
  • 银行切换
    N
  • 频率
    333 MHz
推荐的
OPN
CY7C25442KV18-333BZI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
P-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 272
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
P-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85180)
封装尺寸 272
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C25442KV18-333BZI是一款72-Mbit QDR II+同步流水SRAM（2M×36），独立读写端口支持并发访问。器件最高333 MHz工作，DDR数据传输达666 MHz，支持2.0个周期读延迟（DOFF为高），并集成D、BWS及K/K输入的片上终端ODT。器件采用165球FBGA封装，供电VDD为1.7–1.9 V、VDDQ为1.4 V–VDD，工作温度-40至85°C。

特性

  • QDR II+ SRAM，2.0周期延迟
  • 333 MHz时钟，DDR到666 MHz
  • 读写数据端口相互独立
  • 两字突发架构
  • 双输入时钟K与K
  • CQ/CQ回波时钟便于采样
  • QVLD指示输出数据有效
  • D/BWS/K/K输入支持ODT
  • PLL确保数据对齐
  • JTAG IEEE 1149.1边界扫描
  • VDD电源1.7 V到1.9 V
  • VDDQ电源1.4 V到VDD

产品优势

  • 无需总线翻转，吞吐量更高
  • 333/666 MHz实现高带宽
  • 读写并行，减少系统瓶颈
  • 突发降低地址总线频率
  • 双时钟简化DDR时序收敛
  • 回波时钟简化接收端采样
  • QVLD便于时序与验证
  • ODT减少外部器件和面积
  • PLL提升时序裕量与良率
  • JTAG加速调试与量产测试
  • 1.8 V内核降低系统功耗
  • VDDQ低至1.4 V省I/O功耗

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区