CY7C2670KV18-450BZI
现货，推荐

CY7C2670KV18-450BZI

封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY7C2670KV18-450BZI
CY7C2670KV18-450BZI

商品详情

  • ECC
    N
  • 密度
    144 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.7 V 至 1.9 V
  • 引线球表面
    Sn/Pb
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    DDR-II+ CIO, ODT
  • 片上端接
    Y
  • 系列
    DDR-II+ CIO, ODT
  • 组织(X x Y)
    4Mb x 36
  • 脉冲长度 (Words)
    2
  • 认证标准
    Industrial
  • 读取延迟(周期)
    2.5
  • 银行切换
    N
  • 频率
    450 MHz
推荐的
OPN
CY7C2670KV18-450BZI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
P-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 105
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
P-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 105
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C2670KV18-450BZI是一款144-Mbit（4 M × 36）DDR II+同步流水SRAM，采用双字突发架构，读延迟为2.5个时钟周期。最高450 MHz时钟，双倍数据率传输（最高900 MT/s），并集成回波时钟CQ/CQ与QVLD，便于数据采集。内核VDD为1.7 V至1.9 V，VDDQ为1.4 V至VDD。采用165球FBGA封装，工业级温度范围。

特性

  • 144-Mbit(4 M×36)DDR II+
  • 550 MHz时钟/1100 MHz数据率
  • 两字突发架构
  • 2.5周期读延迟(DOFF高)
  • DDR I模式,1周期延迟(DOFF低)
  • 双输入时钟K/K(DDR时序)
  • CQ/CQ回传时钟便于采样
  • QVLD指示读数据有效
  • D/BWS/K/K内置ODT终端
  • ZQ+RQ设定输出阻抗
  • BWS[3:0]支持字节写
  • IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

产品优势

  • 550 MHz时钟实现高带宽
  • 突发降低地址总线翻转
  • 可选延迟便于时序收敛
  • K/K时钟提升DDR时序精度
  • CQ/CQ简化接收端采样
  • QVLD减少读时序不确定性
  • ODT省去外部终端电阻
  • 器件更少降低BOM和面积
  • ZQ跟踪改善信号完整性
  • 字节写简化读改写并省周期
  • Posted write避免读写冲突
  • JTAG加速板级测试与调试

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区