CY7C4141KV13-633FCXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C4141KV13-633FCXI

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY7C4141KV13-633FCXI
CY7C4141KV13-633FCXI
数据手册

商品详情

  • ECC
    Y
  • 密度
    144 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    1.26 V 至 1.34 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 数据宽度
    x 36
  • 架构
    QDR-IV
  • 片上端接
    Y
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 系列
    QDR-IV
  • 组织(X x Y)
    4Mb x 36
  • 脉冲长度 (Words)
    2
  • 认证标准
    Commercial
  • 读取延迟(周期)
    5
  • 银行切换
    N
  • 频率
    667 MHz
推荐的
OPN
CY7C4141KV13-633FCXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-FCBGA-361
封装名 FCBGA-361 (001-70319)
封装尺寸 120
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-FCBGA-361
封装名 FCBGA-361 (001-70319)
封装尺寸 120
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C4141KV13-633FCXI是一款144 Mbit QDR-IV HP SRAM（4M × 36），具备两个独立的双向DDR数据端口，共用DDR地址总线与SDR控制信号。支持1266 MT/s随机事务率（最高633 MHz）、2字突发、片上终端ODT，并集成ECC单比特纠错（SER < 0.01 FIT/Mb）。内核电源1.3 V ±40 mV，POD I/O的VDDQ为1.1 V或1.2 V。

特性

  • 144 Mbit QDR-IV HP SRAM
  • 总速率1334 MT/s
  • 最高工作频率667 MHz
  • 读取延迟5个时钟周期
  • 写入延迟3个时钟周期
  • 所有访问均为双字突发
  • 双向DDR双数据端口
  • 两端口可并发读写
  • DDR地址与SDR控制信号
  • POD/HSTL/SSTL接口(JESD)
  • 片上终端ODT可编程
  • ECC+总线反转+地址奇偶校验

产品优势

  • 144 Mbit减少外部存储器需求
  • 1334 MT/s提升系统吞吐量
  • 667 MHz支持高速时钟设计
  • 读延迟5周期降低等待
  • 写延迟3周期降低时延
  • 双字突发提升总线效率
  • 双端口提升并行处理能力
  • 全双工访问减少瓶颈
  • DDR地址实现更高RTR
  • JESD接口便于板级对接
  • ODT简化信号完整性设计
  • ECC/校验降低数据错误风险

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }