现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CYEL15B102N-ZS60XM

耐辐射、高可靠性、占用空间小、2Mb 非易失性串行外设接口 (SPI) 铁电 RAM (F-RAM)
数据手册
封装

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CYEL15B102N-ZS60XM
CYEL15B102N-ZS60XM
数据手册

商品详情

  • Density
    2 MBit
  • Package
    PG-TSOP-44
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -55 °C to 125 °C
  • Operating Voltage
    2 V to 3.6 V
  • Lead Ball Finish
    NiPdAu and Pure Sn
  • Interfaces
    Parallel
  • Family
    F-RAM
  • Organization (X x Y)
    128Kx16
  • Qualification
    Military
受到推崇的
OPN
CYEL15B102N-ZS60XM
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 135
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 135
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们的耐辐射、并行接口、SPI 铁电 RAM (F-RAM) 是业界功耗最低的非易失性存储器解决方案之一，可保证 50 Krad (Si) TID 和几乎无限的耐用性。英飞凌的即时非易失性写入技术和超过100年的数据保留时间为空间应用提供了最高的可靠性。

特性

  • 2 Mb 密度
  • 128K x 16，并行接口
  • 60ns 访问时间
  • 英飞凌即时非易失性写入技术
  • 10 万亿次读/写周期耐用性
  • +85°C 时数据保留 120 年
  • 极低编程电压 (2V)
  • 2.0 V–3.6 V 工作电压范围
  • 低工作电流（最大 10 mA）
  • –55°C 至 +125°C 军用温度等级
  • 44 引脚 TSOP 封装

产品优势

  • 符合 AEC-Q006 标准
  • 符合 ROHS 标准
  • 50 Krad (Si) TID 辐射性能
  • 单一批次日期代码 (SLDC)
  • 100% 电气测试覆盖率
  • 符合性证书 (CoC)

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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