现货，推荐
符合RoHS标准

CYPT1069G30-10FZMB

英飞凌 16Mb FAST 异步 SRAM，带 ECC，适用于抗辐射存储器解决方案
数据手册
封装

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CYPT1069G30-10FZMB
CYPT1069G30-10FZMB
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 封装
    FLATPACK-36 (001-67583)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    2Mb x 8
  • 认证标准
    Military
  • 设备重量
    3878.7 mg
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
CG-FP-36
封装名 FLATPACK-36 (001-67583)
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
CG-FP-36
封装名 FLATPACK-36 (001-67583)
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 16Mb 异步 SRAM 系列采用英飞凌专利的RADSTOP™技术设计，是太空以及其他恶劣环境应用的理想选择。 16-Mbit FAST SRAM 是一种高性能、低功耗的自带ECC功能的 SRAM，存储组织结构为 2-Mbit × 8-bits。我们的RADSTOP™存储器解决方案增强了系统的整体计算极限，同时提供了尺寸、重量和功耗 (SWaP) 优势和设计灵活性。

特性

  • 16 Mb 密度，2M x 8
  • 嵌入式 ECC，用于单比特纠错
  • 10 ns 访问时间
  • 2.2 V至3.6 V工作电压
  • -55°C 至 +125°C 军用温度等级
  • 54-pin陶瓷扁平封装 (CFP)
  • DLAM QML-V 认证
  • TID：200 Krad
  • SEL：> 60 MeV.cm2/mg @ 95°C
  • SEU：≤ 1 x 10-10 upsets/bit-day
  • 原型
  • 飞行器件，请订购CYRS1069G30-10FZMB

产品优势

  • 采用RADSTOP™技术设计
  • 满足极端环境下的可靠性要求
  • 满足极端环境下的生命周期需求
  • 提升系统整体计算能力
  • 提供尺寸、重量和功耗 (SWaP) 优势
  • 更大的设计灵活性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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