现货，推荐
符合RoHS标准

CYRS1061G30-10GGMB

数据手册
封装

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CYRS1061G30-10GGMB
CYRS1061G30-10GGMB
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    220 °C
  • 工作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 工作电压
    2.2 V to 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ)
    2.2 V to 3.6 V
  • 引线球表面
    Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Military
  • 设备重量
    2300 mg
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CYRS1061G30-10GGMB
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
CG-TSOP-54
封装名 CER-TSOP-II-54 (002-18372)
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
CG-TSOP-54
封装名 CER-TSOP-II-54 (002-18372)
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 16Mb 异步 SRAM 系列采用英飞凌专利的RADSTOP™技术设计，是太空以及其他恶劣环境应用的理想选择。 16-Mbit FAST SRAM 是一种高性能、低功耗的自带ECC功能的 SRAM，存储组织结构为 1-Mbit × 16-bits。注释：此部件已被5962R2020201VXC取代。

特性

  • 16 Mb 密度，1M x 16
  • 嵌入式ECC（SEC）
  • 10ns 访问时间
  • 1.8–5.0 V 工作电压
  • -55°C 至 +125°C 军用温度等级
  • 54-lead陶瓷 TSOP (CTSOP)
  • 辐射性能
  • TID：200 Krad
  • SEL：> 60 MeV.cm2/mg @ 95°C
  • SEU：≤ 1 x 10-10 upsets/bit-day
  • QML-V合格

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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