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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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每件.
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DD1000S33HE3
每件.
商品详情
-
IC(nom) / IF(nom)1000 A
-
IC max1000 A
-
VCES / VRRM3300 V
-
VF (Tvj=25°C typ)3.1 V
-
封装IHV B
-
尺寸 (length)130 mm
-
尺寸 (width)140 mm
-
技术Diode
-
电压等级 max3300 V
-
认证标准Industrial, Traction
-
配置Diodes
| 推荐的 | ||
|
OPN
|
DD1000S33HE3BPSA1 | |
| 产品状态 | active and preferred | |
| 英飞凌封装名称 | AG-IHVB130 | |
| 封装名 | N/A | |
| 包装尺寸 | 2 | |
| 包装类型 | TRAY | |
| 湿度 | NA | |
| 防潮包装 | NON DRY | |
| 无铅 | No | |
| 无卤素 | No | |
| 符合RoHS标准 | Yes | |
|
Infineon stock last updated:
|
每件. 有存货 | |
|
|
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|
|
||
|
|
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | AG-IHVB130 |
| 封装名 | - |
| 包装尺寸 | 2 |
| 包装类型 | TRAY |
| 湿度 | NA |
| 防潮包装 | NON DRY |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
每件.
有存货
IHV B 3300V、1000 A 130mm 二极管 IGBT 模块带 EC3 - 二极管 - 牵引和工业应用的最佳解决方案。注定要与IGBT3产品结合。
特性
- 高直流稳定性
- 数十年的现场经验
- 高浪涌电流能力
- Tvj op=150°C
- AlSiC 基板，AlN 衬底
- CTI > 600 的封装
- 防火防烟 EN45545 R22、R23 : HL3
- 低恢复损耗
- 隔离基板
- 双二极管
产品优势
- 标准化外壳：130x140x38 毫米
- 数十年的现场经验
- 使用寿命长
- 抗过载和故障能力强
- 低 FIT 率
- UL 认证
图表
IHM_IHV_130mm_Dual_Diode
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