现货，推荐
符合RoHS标准

DF160R12W2H3F_B11

1200 V、160 A升压IGBT模块
数据手册

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DF160R12W2H3F_B11
DF160R12W2H3F_B11
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    160 A
  • IC max
    160 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.55 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.6 V
  • 封装
    EasyPACK™ 2B
  • 尺寸 (width)
    48 mm
  • 尺寸 (length)
    56.7 mm
  • 技术
    IGBT HighSpeed 3
  • 特性
    PressFIT, SiC Schottky diode
  • 电压等级 max
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    Booster
推荐的
OPN
DF160R12W2H3FB11BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-EASY2B
封装名 N/A
包装尺寸 15
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-EASY2B
封装名 -
包装尺寸 15
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EasyPACK ™ 2B 1200 V、320 A 斩波 IGBT 模块，采用 CoolSiC ™肖特基二极管 1200V、PressFIT 技术和高速 IGBT H3。

特性

  • 低开关损耗
  • Al2O3 基板
  • 集成 NTC 温度传感器

应用

光伏

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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