FD200R12KE3P
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FD200R12KE3P

1200 V、200 A斩波IGBT模块
数据手册
评估板

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FD200R12KE3P
FD200R12KE3P
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    200 A
  • 最高 IC
    200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.7 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • 封装
    62 mm
  • 尺寸 (length)
    106.4 mm
  • 尺寸 (width)
    61.4 mm
  • 技术
    IGBT3 - E3
  • 特性
    TIM
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    Chopper
推荐的
OPN
FD200R12KE3PHOSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 N/A
封装尺寸 8
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 -
封装尺寸 8
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
带有预涂热界面材料的 62 毫米 1200 V、200 A 斩波 IGBT 模块是您设计的正确选择。

特性

  • 工作温度高达 150 °C
  • UL/CSA 认证。符合 UL1557 E83336
  • 优化开关软度
  • 降低开关损耗
  • 高电流能力
  • 符合 RoHS 标准
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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