FF11MR12W2M1HP_B11
现货，推荐
符合RoHS标准

FF11MR12W2M1HP_B11

CoolSiC™ MOSFET 半桥模块 2300 V
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FF11MR12W2M1HP_B11
FF11MR12W2M1HP_B11
数据手册

商品详情

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    10.8 mΩ
  • 封装
    Easy 2B
  • 尺寸 (width)
    48 mm
  • 尺寸 (length)
    62.8 mm
  • 应用
    SST, Solar, UPS, ESS, EV Charger
  • 特性
    PressFIT, TIM
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    Half-bridge
推荐的
OPN
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
AG-EASY2B
封装名 N/A
封装尺寸 18
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
AG-EASY2B
封装名 -
封装尺寸 18
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EasyDUAL™ 2B CoolSiC™ MOSFET 半桥模块 1200 V、11 mΩ G1，集成 NTC 温度传感器、PressFIT 压接技术和预涂热接口材料 (TIM)。

特性

  • 同类最佳封装，高度 12 毫米
  • 前沿宽带隙材料
  • 极低的模块杂散电感
  • 增强型CoolSiC™ MOSFET Gen 1
  • 增大栅极驱动电压上下限
  • +20 V 和 -10 V
  • 栅源极电压
  • 压接工艺引脚
  • 集成NTC温度传感器

产品优势

  • 出色的模块效率
  • 系统成本优势
  • 系统效率提升
  • 降低冷却要求
  • 实现更高的频率
  • 提高功率密度
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区